收藏本站
NXP Semiconductors
PESD5V0U2BM
Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff
-
-
5
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 5 V
-
5
100
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
5.5
6.5
9.5
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz
V R = 0 V
V R = 5 V
-
-
2.9
1.9
3.5
-
pF
pF
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
-
-
100
?
3.0
C d
(pF)
2.6
2.2
006aab036
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
1.8
0
1
2
3
4
5
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
006aaa676
Fig 2.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 3.
V-I characteristics for a bidirectional
PESD5V0U2BM_1
voltage; typical values
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 14 August 2008
4 of 11
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD5V0U2BT,215 DIODE ULOW ESD PROTECTION SOT-23
PESD5V0U4BF,115 DIODE ESD PROTECT VLOW 6-XSON
PESD5V0U5BV,115 DIODE ARRAY ESD BI-DIR SS MINI6
PESD5V0V1BL,315 DIODE BI ESD PROTECT SOD882
PESD5V0V1BLD,315 DIODE ESD PROTECTION SOD-882
PESD5V0V1BSF,315 DIODE BIDIR ESD PROT SOD962
PESD5V0X1BL,315 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882
PESD5V0X1BQ,115 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOT-663
相关代理商/技术参数
PESD5V0U2BM315 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PESD5V0U2BMB,315 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1.5A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:2.9pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1） 标准包装:1
PESD5V0U2BT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 5NA 5V SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, 5NA, 5V, SOT-23
PESD5V0U2BT,215 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0U2BT215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TVS DIODE 5V BIDIRECTIONAL SOT-23
PESD5V0U4BF 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
PESD5V0U4BF,115 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Quad Bi-Dir 5V 6-Pin RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0U4BW 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays